48-V-Powerwall

Mehrkomponenten-Dünnschichtsolarzellen bestehen aus anorganischen Salzen, zu denen hauptsächlich Galliumarsenid-III-V-Verbindungen, Cadmiumsulfid und Kupfer-Indiumselenid-Dünnschichtzellen gehören.

Polykristalline Dünnschichtzellen aus Cadmiumsulfid und Cadmiumtellurid bieten einen höheren Wirkungsgrad als Dünnschichtsolarzellen aus amorphem Silizium, sind kostengünstiger als Zellen aus einkristallinem Silizium und lassen sich leichter in Massen herstellen. Aufgrund der hohen Giftigkeit von Cadmium stellt es jedoch ein erhebliches Umweltrisiko dar. Daher sind sie keine ideale Alternative zu kristallinen Silizium-Solarzellen.

Galliumarsenid (GaAs) III{0}}V-Verbindungszellen können Umwandlungswirkungsgrade von bis zu 28 % erreichen. GaAs-Verbundmaterialien verfügen über eine ideale optische Bandlücke und eine hohe Absorptionseffizienz, eine hohe Strahlungsbeständigkeit und sind unempfindlich gegenüber Hitze, wodurch sie sich für die Herstellung hoch{3}effizienter Einzelzellen- eignen. Allerdings haben die hohen Kosten des GaAs-Materials dessen weit verbreitete Verwendung erheblich eingeschränkt.

Kupfer-Indiumselenid-Dünnschichtzellen (CIS) eignen sich für die fotoelektrische Umwandlung, sind immun gegen lichtbedingte Verschlechterung und bieten Umwandlungswirkungsgrade, die mit denen von polykristallinem Silizium vergleichbar sind. Aufgrund ihrer geringen Kosten, hervorragenden Leistung und einfachen Herstellungsverfahren sind sie auf dem besten Weg, eine wichtige Entwicklungsrichtung für die Entwicklung von Solarzellen zu werden. Das einzige Problem ist die Herkunft der Materialien. Da Indium und Selen relativ seltene Elemente sind, sind der Entwicklung dieses Batterietyps zwangsläufig Grenzen gesetzt.